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射頻輻射抗擾度測試系統RS-100

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射頻輻射抗擾度測試系統RS-100

射頻輻射抗擾度測試系統RS-100 依據(ju)IEC/EN61000-4-3(GB/T 17626.3)的(de)(de)射(she)(she)頻電(dian)磁(ci)場輻(fu)射(she)(she)抗擾(rao)度(du)試驗,用來(lai)模擬設備(bei)遭受射(she)(she)頻輻(fu)射(she)(she)干擾(rao)的(de)(de)情(qing)況,尤其是模擬設備(bei)周(zhou)圍人員在(zai)可(ke)能(neng)對(dui)設備(bei)帶(dai)來(lai)的(de)(de)影響。盡(jin)管(guan)單(dan)個手機的(de)(de)功率(lv)并(bing)不(bu)大,但由于距離(li)近(jin),有可(ke)能(neng)造(zao)成局部場強(qiang)很高的(de)(de)情(qing)況。如其他(ta)無線電(dian)臺(tai)、電(dian)視廣播發射(she)(she)臺(tai)、移動通(tong)信發射(she)(she)基站、各種(zhong)工業電(dian)磁(ci)輻(fu)射(she)(she)源;以(yi)及電(dian)焊(han)機、可(ke)控硅整流器、熒(ying)光燈等在(zai)工作時也會(hui)對(dui)設備(bei)產(chan)生輻(fu)射(she)(she)現象。的(de)(de)標準規定(ding)試驗測試頻率(lv)為80MHz-6GHz;測試場強(qiang)在(zai)1V/m ~ 10V/m之(zhi)間。

等級

一般試驗場強
(80M-1G)

保護(hu)(設(she)備)抵抗(kang)射(she)頻輻射(she)測試場強(800-960MHz及1.4-6G)

1

1V/m

1V/m

2

3V/m

3V/m

3

10V/m

10V/m

4

-

30V/m

系統組成

典型(xing)的(de)射(she)頻電磁場輻射(she)抗擾度測試系統,由下(xia)列設備組成:

軟件(jian)控制臺

控制整個系統進行(xing)校準,測試并(bing)產(chan)生打印報告(gao);

信號(hao)發(fa)生器

用于(yu)按照(zhao)測(ce)試標(biao)準產生(sheng)規定頻(pin)率范(fan)圍內的調制或者未(wei)調制信(xin)號

RF功率放大器

按(an)照測試標準,把信號(hao)發生器產生的(de)信號(hao)電(dian)平放(fang)大至測試標準所需的(de)功(gong)率(lv),功(gong)放(fang)的(de)功(gong)率(lv),取

決于測試標準的(de)場(chang)強、EUT和天線的(de)距離。

場強計

試(shi)驗測試(shi)時(shi),將(jiang)場(chang)強計放置在暗示內EUT位置處,實(shi)時(shi)測量系統產生的場(chang)強。

校(xiao)準(zhun)測(ce)試時,利用(yong)(yong)(yong)場強計替代EUT,使用(yong)(yong)(yong)功(gong)(gong)率(lv)計測(ce)量實(shi)際(ji)注(zhu)入的功(gong)(gong)率(lv),為此(ci),在功(gong)(gong)率(lv)放(fang)大器(qi)后接一個(ge)定向(xiang)耦(ou)合器(qi),由功(gong)(gong)率(lv)計測(ce)量前向(xiang)功(gong)(gong)率(lv)和后向(xiang)功(gong)(gong)率(lv),并把(ba)讀取的功(gong)(gong)率(lv)存(cun)儲,用(yong)(yong)(yong)于EUT測(ce)試。

射(she)頻開關(控制器)

具有多個功率放大器組(zu)成(cheng)的自(zi)動測(ce)試系統(tong)中,切換當前使用的功率放大器。

發射天(tian)線(xian)

將(jiang)被功率放(fang)大(da)器放(fang)大(da)的信號通過發射(she)天(tian)線(xian)轉換為電(dian)磁場(chang)輻射(she),為了使(shi)用(yong)盡可能小(xiao)的功率放(fang)大(da)器產生(sheng)足夠的場(chang)強(qiang),一般(ban)使(shi)用(yong)高增益天(tian)線(xian)作為發射(she)天(tian)線(xian)。目前(qian)使(shi)用(yong)zui廣泛的是(shi)對數(shu)周期天(tian)線(xian),有(you)寬頻、高增益和寬波瓣等特點。

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