TBHPF1高通濾波器 150K-3G
LISN射頻輸出處的殘余50 Hz電壓：
LISN的DUT端子上(shang)存在全(quan)交流電(dian)源電(dian)壓(ya)(ya)。RF耦合電(dian)容器(qi)和1K電(dian)阻(zu)器(qi)形成分壓(ya)(ya)器(qi)，分壓(ya)(ya)器(qi)確定RF連(lian)接器(qi)處50Hz電(dian)壓(ya)(ya)的幅度。
TBHPF1高通濾(lv)波器 150K-3G 考慮0.1μF電容器，其在50 Hz時的(de)阻抗為32K。與1K電阻(zu)器一起，在沒有任何負載的情況下，LISN的RF端(duan)子處產生的50Hz電壓約為(wei)6.6V。假(jia)設(she)50歐姆(mu)負載與1K電阻器并聯，剩余50 Hz電壓(ya)將變得可(ke)忽略不計。
一些LISN可能需要使用更高的值，以滿足較低頻率下的阻抗規范。假設電容器為0.5μF，LISN射頻端的殘余50Hz電壓將高達31V。如果存在與1K電阻器并聯的50歐姆負載，則這仍然會降低到可忽略的值。
然而，低成本分析儀不太可能在50Hz時具有50歐姆的輸入阻抗。通常，對于低于9kHz的頻率，不輸入阻抗。此外，如前所述，低成本分析儀在RF輸入端使用GaAs開關，這在低頻率下是固有的。
因此，在頻譜分析儀或測量接收器的RF輸入處放置9 kHz高通濾波器或150 kHz高通濾波器將提供對50 Hz殘余電壓的良好保護。由于其在通帶中的插入損耗非常低，因此不會減小測量的動態范圍。
技(ji)術指標：
n 50歐姆反射式(shi)高通濾波(bo)器
n 3dB帶寬：150KHz – 3GHz
n 最大輸入電壓：100V , 250V@持續時間＜5s
n 頻率小于150KHz和開路輸出時最大允許輸入電流：650 mA
n 最大輸入功率：10W @ 300KHz – 3GHz
n 接口：N型
n 尺寸：26×26×82 mm
n 重量：約100 g
