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110dB電磁屏蔽布HN230110dB電(dian)磁屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)布HN230屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)底(di)層(ceng)膜(mo)采用有微(wei)針(zhen)鋁箔的(de)四層(ceng)薄(bo)膜(mo)結構。是用于屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)高頻(pin)電(dian)磁波輻射（HF）和(he)低頻(pin)電(dian)場(chang)（LF）的(de)高性能高穩定度的(de)屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)材料，屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)頻(pin)率范圍高達(da)40GHz，屏蔽(bi)(bi)(bi)(bi)效能高達(da)111dB。
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